【摘 要】
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采用传统陶瓷工艺制备了(1 ? x) SnO2 + x Zn2SnO4复合陶瓷,并测试了样品的电流-电压非线性关系。结果表明:随着Zn2SnO4含量的变化,当x = 0.13时,样品的半导化程度最高,压敏
【基金项目】
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国家自然基金理论物理专项(11447008),河南省教育厅科学技术研究重点项目(14A480001)
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采用传统陶瓷工艺制备了(1 ? x) SnO2 + x Zn2SnO4复合陶瓷,并测试了样品的电流-电压非线性关系。结果表明:随着Zn2SnO4含量的变化,当x = 0.13时,样品的半导化程度最高,压敏电压达到最低值3 V/mm。对样品的势垒高度测量表明,势垒高度随Zn2SnO4含量的增加变化不明显,但随着测试温度的升高而增大,室温下样品的势垒高度约为0.8 eV。进一步研究显示,电模量虚部频谱出现了峰值,随着温度的升高,峰向高频方向移动。通过Arrhenius关系拟合发现,峰值对应的激活能约为0.38
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