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研究了等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温形成新型ＳｉＯｘＮｙ薄膜的界面特性。研究侧重于ＰＥＣＶＤＳｉＯｘＮｙ薄膜良好界面特性的控制，探索出界面特性与微观组份，衬底工作温度，反应室气压，退火致密，金属化后退火的相互关系，同时给出了获取界面特性优良的ＰＥＣＶＤＳｉＯｘＮｙ薄膜的最优化工艺条件，并对实验结果进行了理论分析与讨论。