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近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻R DS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
沟槽栅低压功率MOSFET的发展（上）——减小漏源通态电阻R DS（on）
【摘 要】
：
近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻R DS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕
【机 构】
：
北京工业大学
【出 处】
：
电力电子
【发表日期】
：
2004年4期
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