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通过添加适量CuO和Bi2O3,将Ni-Zn铁氧体材料的烧结温度降至870～920℃,达到Ni-Zn铁氧体材料与Ag电极共烧匹配的目的.试制了片式抗电磁干扰滤波器,并对其插入损耗特性进行了计算机模拟,表明所研制的抗电磁干扰滤波器不仅适合高密度表面封装技术的要求,也可满足宽频域抗电磁干扰需要.
片式抗电磁干扰滤波器Ni-Zn铁氧体材料与工艺研究
【摘 要】
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通过添加适量CuO和Bi2O3,将Ni-Zn铁氧体材料的烧结温度降至870～920℃,达到Ni-Zn铁氧体材料与Ag电极共烧匹配的目的.试制了片式抗电磁干扰滤波器,并对其插入损耗特性进行了计算
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院
【出 处】
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磁性材料及器件
【发表日期】
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2003年4期
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