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随着ＶＬＳＩ技术的发展，电迁移已成为集成电路最主要的失效原因之一，其可靠性评估技术也显得愈加重要，要改进该技术，不仅需要确定可靠性物理模型参数，而且要求掌握参数的统计分布特性，基于电迁移物理模型，提出一种提取参数统计分布特性的新方法。与传统方法相比，此方法不仅所需实验样品少、实验次数少、能真正得到反映样品离散性的物理模型参数的统计分布特性，而且也可用于其它失效机理（如栅氧击穿）物理模型中。