【摘 要】
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目的对2H-SiC体材料的电子输运特性进行研究.方法在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo,EMC)方法.结果计算表明:低场下
【机 构】
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西安电子科技大学,河北半导体研究所
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目的对2H-SiC体材料的电子输运特性进行研究.方法在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo,EMC)方法.结果计算表明:低场下,温度一定时,2H-SiC纵向电子迁移率比4H-SiC和6H-SiC都高,横向迁移率则较为接近.296 K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107 cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107 cm/s.当电场条件相同时,2H-SiC同4H-SiC以及6H-SiC中的纵向电
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