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利用反应离子刻蚀实现GaAs晶片通孔工艺
利用反应离子刻蚀实现GaAs晶片通孔工艺
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wjh901223
【摘 要】
:
贯穿晶片的背面通孔已成为GaAsMMIC和功率MESFET的有效接地方式。本文介绍了利用Cl2/SiCl4作为反应气体,以正性光刻胶为掩模的反应离子刻蚀背孔工艺。利用该工艺刻蚀出的深孔具有倾斜的剖面和光滑的侧
【作 者】
:
顾炯
盛文伟
【机 构】
:
南京电子器件研究所
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
1994年2期
【关键词】
:
反应离子刻蚀
刻蚀速率
形貌
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贯穿晶片的背面通孔已成为GaAsMMIC和功率MESFET的有效接地方式。本文介绍了利用Cl2/SiCl4作为反应气体,以正性光刻胶为掩模的反应离子刻蚀背孔工艺。利用该工艺刻蚀出的深孔具有倾斜的剖面和光滑的侧壁,孔的横向侧蚀小,在φ50mmGaAs圆片上获得了良好的均匀性和重复性。
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