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从理论与实验两方面研究了GaAs定向耦合型行波光调制器,首次报导了重掺杂n^+型薄层对电场分量相当于导体,对磁场分量相当于绝缘体这一发现;首次提出了一种具有对称宽电极的新型结构,并研制成功开关电压为8.5V,微波折射率为3.6,在30GHz情况下传输损耗小于10dB/cm,根据s参数测试3dB带宽达到32GHz的行波调制器。