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从理论与实验两方面研究了ＧａＡｓ定向耦合型行波光调制器，首次报导了重掺杂ｎ＾＋型薄层对电场分量相当于导体，对磁场分量相当于绝缘体这一发现；首次提出了一种具有对称宽电极的新型结构，并研制成功开关电压为８．５Ｖ，微波折射率为３．６，在３０ＧＨｚ情况下传输损耗小于１０ｄＢ／ｃｍ，根据ｓ参数测试３ｄＢ带宽达到３２ＧＨｚ的行波调制器。