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旋涂法是光刻工艺中涂胶的重要方法，在旋涂经典 EBP 方程和考虑挥发与转速关系的溶剂挥发模型基础上，通过数值模拟对溶剂挥发模型提出的过渡点增加了动态参数因子补偿，得出更合理的膜厚拟合方程。通过自制的旋涂验证装置进行光刻涂胶实验并采集相关实验数据来验证拟合方程的正确性。利用该优化的拟合方法来指导实践，可制定更为合理的实际工艺参数。