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采用两步水热法合成ZnIn2S4/MIL-125复合纳米材料,评估ZnIn2S4对MIL-125物相结构、形貌结构、化学态、光谱响应和光催化性能的影响。结果表明:添加少量ZnIn2S4使MIL-125由盘状块体逐渐演变为薄饼状,比表面积逐渐减小;当ZnIn2S4添加量(摩尔分数)为0.8%时,ZnIn2S
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研究了不同温度热活化凹凸棒石去除甲醛的作用及甲醛浓度、气体停留时间对去除效率的影响规律,并通过原位漫反射红外光谱研究了甲醛在凹凸棒石表面的作用机制。结果表明:250℃热活化凹凸棒石(Pal-250)具有最好的甲醛去除性能,空气中氧增强了Pal-250对甲醛的去除,表明热活化凹凸棒石对甲醛去除机制不仅为物理吸附,同时包含催化矿化过程。部分吸附态的甲醛可以通过羟基和活性氧在凹凸棒石表面发生矿化反应,生成亚甲基二氧、甲酸盐、碳酸盐等物种。
为制备出一种柔性、轻质、高效的电磁屏蔽材料,以密度为0.055 g/cm3的活性炭纤维毡(ACF)为原料,研究了氩气气氛高温处理对ACF微观结构和电磁屏蔽性能的影响;借助X射线衍射、R
讨论了普鲁士蓝(PB)的电致变色机制,总结了近年来国内外学者为提高其电致变色性能进行的研究.概述了目前制备PB薄膜的主要方法及其工艺与性能的关系,陈述了PB与其他材料复合
对托贝莫来石(TOB)进行加热与酸化复合改性,成功制备出比表面积为570 m2/g的酸化改性托贝莫来石(AHTOB),并用X射线衍射、N2吸附-脱附对改性托贝莫来石进行了结构表征和表面积及孔径分析。通过静态吸附实验探讨了3种吸附剂对亚甲基蓝溶液(MB)的吸附性能,分析改性TOB对MB的吸附机制。考察了不同吸附剂及其加入量、溶液p H值、MB初始浓度、吸附时间及温度对吸附行为的影响,研究了AHTOB对MB溶液吸附的热力学和动力学行为。结果表明:对50 m L,浓度为10 mg/L的MB
芯片异构集成的节距不断缩小至10 μm及以下,焊料外扩、桥联成为焊料微凸点互连工艺的主要技术问题.通过对微凸点节距为8 μm的Cu/Sn固液扩散键合的工艺研究,探索精细节距焊
先用磁控溅射法在石英玻璃基片上制备了金属V膜,然后经过真空退火处理被转变为VO2薄膜。研究了退火温度对VO2薄膜表面形貌、晶体结构、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着退火温度由300℃增加到450℃,VO2薄膜的结晶度明显增加。退火温度在400℃和450℃制备的样品是高纯M相单斜结构,晶粒发育较好,晶界清晰。不同温度退火的样品的表面V元素包含由4+和5+态,5+态的出现是由于表面V元素受环境中氧化导致。虽然退火温度的改变对VO
采用共沉淀方法并结合热处理技术制备了CoNiO2/Ti3C2Tx复合材料.使用扫描电子显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、氮气吸脱附测试、循环伏安法、恒流充放电法和电化学阻抗
为满足电子系统小型化高密度集成、多功能高性能集成、小体积低成本集成的需求,硅基异构集成和三维集成成为下一代集成电路的使能技术,成为当前和今后的研究热点.硅基三维集
基于热电薄膜的微型热电器件在微区制冷、温差发电等领域具有广阔应用前景。具有高功率因子、ZT值的热电薄膜对微型热电器件的性能至关重要。Sb2Te3基材料是室温下性能优异的p型热电材料。然而,目前Sb2Te3基薄膜的热电性能仍然不能满足实际应用的需求。简述了热电材料研究的相关背景,介绍了Sb2Te3的晶体结构,概述了Sb2Te3基薄膜的
耐高温高强韧性连续碳纤维增韧碳化硅复合材料(C/SiC)是空天飞行器用热结构件的首选材料之一。C/SiC热结构件的结构复杂,其连接技术是推动该材料应用的关键。采用化学气相渗透工艺制备2D C/SiC单钉铆接单元,研究其微结构和拉伸行为,分析相应的失效机制。结果表明:2D C/SiC单钉铆接单元的显微结构具有多孔、非均匀粘接和非均匀钉孔间隙特征。铆接剪切强度平均值为157.77 MPa,超过2D C/SiC面内剪切强度。搭接界面脱粘、钉孔相互挤压和铆钉内纤维剪断是2D C/SiC单钉铆接单元的主要失效机制。