【摘 要】
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制备绝缘性能良好的 Al2 O 3薄膜是研制薄膜热电偶瞬态温度传感器的关键技术之一.针对直流脉冲磁控溅射制备的 Al2 O 3绝缘薄膜总是存在针孔等缺陷，提出了利用直流脉冲磁控溅
【机 构】
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大连交通大学机械工程学院,大连交通大学材料科学与工程学院
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制备绝缘性能良好的 Al2 O 3薄膜是研制薄膜热电偶瞬态温度传感器的关键技术之一.针对直流脉冲磁控溅射制备的 Al2 O 3绝缘薄膜总是存在针孔等缺陷，提出了利用直流脉冲磁控溅射加射频偏压技术成功制备了薄膜热电偶瞬态温度测试传感器的Al2 O 3绝缘薄膜.通过台阶仪、高阻计、扫描电子显微镜和划痕试验仪对 Al2 O 3绝缘膜的成膜厚度、绝缘性、表面形貌及膜基结合力进行了观测，结果表明，制备的 Al2 O 3绝缘膜厚度可达2．4μm；其绝缘性可达2．6＆#215;109Ω；薄膜表面光滑，成膜均匀；Al ∶
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