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观察和分析了300μm×40μm×40nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程。磁畴结构的转变包含畴壁合并,封闭畴转变,钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等变的可逆因素,对畴壁极性转变的身份种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Net)r N+-→N-间接转变)进行了分析讨论。N-生往在元件不端新生封闭畴和正极性主