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中国科学院微电子研究所的研究人员在high—k／Ⅲ—V、high—k／Ge界面的缺陷行为及控制方法研究方面持续攻关，取得了重要进展。
中科院在高迁移率沟道MOS器件研究方面获进展
【摘 要】
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中国科学院微电子研究所的研究人员在high—k／Ⅲ—V、high—k／Ge界面的缺陷行为及控制方法研究方面持续攻关，取得了重要进展。
【出 处】
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军民两用技术与产品
【发表日期】
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2016年5期
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