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通过直接栅电流测量方法研究了热载流子退化和高栅压退火过程中PMOSEF'S，热载流子损伤的生长规律，由此，给出了热载流子引起PMOSFET'S器件参数退化的准确物理解释，并证明了直接栅电流测量是一种很好的研究器件损伤生长和器件参数退化的实验方法。
通过直接栅电流测量研究PMOSFET‘S热载流子损伤
【摘 要】
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通过直接栅电流测量方法研究了热载流子退化和高栅压退火过程中PMOSEF'S，热载流子损伤的生长规律，由此，给出了热载流子引起PMOSFET'S器件参数退化的准确物理解释，并证明
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年1期
【基金项目】
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国防预先研究基金资助项目 (项目编号 :8.5 .3 .4)~~
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