【摘 要】
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Ti-B位置换改性Mg2SiO4陶瓷微结构和微波介电性能的研究中发现,在合成Mg2SiO4陶瓷过程中,Mg2SiO3总是作为第二相出现,Ti的引入能够有效地抑制Mg2SiO3的出现。但Ti不是进入Si-
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Ti-B位置换改性Mg2SiO4陶瓷微结构和微波介电性能的研究中发现,在合成Mg2SiO4陶瓷过程中,Mg2SiO3总是作为第二相出现,Ti的引入能够有效地抑制Mg2SiO3的出现。但Ti不是进入Si-O四面体取代置换Si形成Mg2（Si1-xTix）O4固溶体,而是Mg与反应形成Mg2TiO4、Mg2Ti2O5等第二相。Mg2（Si1-xTix）O4陶瓷随着值x增加,介电常数εr从6.8增加到8.1,Qf值也获得显著改善,但谐振频率温度系数不会因Ti引入而得到优化。在x=0.1时,Mg2（Si0.9Ti
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