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应用化学气相沉积（CVD）方法在铝表面形成SiOx陶瓷涂层，通过弯曲实验研究了涂层与基体的结合性能。利用扫描电子显微镜（SEM）观察了弯曲部位的表面形貌，弯曲过程表述为表面凹坑与内部孔洞联合长大，形成长条裂纹状沟槽或突脊，最后裂纹长大直至断裂。研究表明，基底与膜层结合良好，形成高结合力的原因是铝基底与表面SiOx膜层间过渡层中的Al-O与Si-O键合能很高，键合稳定。