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以锗酸锶纳米线作为光催化材料,分析了光照时间、锗酸锶纳米线用量及罗丹明B浓度对锗酸锶纳米线光催化降解罗丹明B的影响。固体紫外漫散射光谱表明锗酸锶纳米线属于典型的半导体,禁带宽度为3.67eV。随着光照时间的增加,罗丹明B的降解率增加。罗丹明B的起始浓度为10mgL-1、锗酸锶纳米线用量为20mg及光照时间4h时,罗丹明B的降解率为72.39%。随着罗丹明B浓度的增加,其降解率降低至34.92%。