论文部分内容阅读
Dy_2O_3-dopedZnO-based 变阻器陶艺，准备的使用的高精力的球 milling ( HEBM )和在 800 ℃的 sintered 的微观结构，电的性质，和密度，被在 H 的顺序增加冷却的率调查(在炉子的慢冷却)→ L (在炉子冷却)→ K (在空中冷却)。随使率凉下来的增加，谷物尺寸和密度减少了，击穿电压(V_(1 个妈)/ 公里) 增加，并且非线性的系数(α) 和漏泄电流(I_L ) 展出了极值。有冷却类型 L 的样品与 2650 V/mm 的击穿电压显示出最好的性质，α o