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基于求解二维Poisson方程，分析了具有埋氧层界面电荷的SOI结构纵向击穿特性，提出了界面电荷耐压模型。该模型通过埋氧层界面电荷来调制硅层和埋氧层电场．获得极高击穿电压。进一步提出临界界面电荷面密度概念，给出其工程化应用的近似公式。并对文献中的不同结构SOI器件的纵向耐压进行计算。解析结果和试验结果或MEDICI仿真结果吻合良好。