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中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的1.31μm波段GaAs基InGaAs异变量子阱激光器获得新进展,这种激光器采mGaAs基上生长的InGaAs异变(metamorphic)量子阱为有源区实现了1.33μm的室温连续激射,其阈值电流为目前已有报道的最好结果而受到国际关注。