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碳化硅同质外延过程中，反应室杂质浓度是外延片背景载流子浓度的决定因素。反应室内石墨部件外层进行碳化钽涂层处理，极大降低了反应室内的杂质浓度。目前对于涂层影响碳化硅外延掺杂浓度具体的定量研究，一直没有具体的数据。采用自主研发的碳化硅外延设备，在完好和破损的涂层石墨部件条件下进行碳化硅同质外延生长，分析相应的外延片背景载流子浓度，从而得到碳化硅外延掺杂浓度的具体定量数据，并对设备研发和使用过程中的掺杂浓度的变化规律进行分析，从而积累了对于实际科研和生产过程中的问题的具体指导经验。