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封面图片出自论文＂阳离子迁移型阻变存储材料与器件研究进展＂.是清华大学材料学院潘峰教授研究团队提供的阳离子迁移型阻变存储器的器件结构及选材和阻变特性及机理示意图.阳离子迁移型阻变存储器的存储单元为＂活性电极/存储介质/惰性电极＂三层膜结构,通过外加电压作用下活性电极原子发生氧化还原反应和定向迁移过程而实现信息存储,其中逻辑＂1＂对应于低阻态，此时金属导电细丝在存储介质中形成并连通上下电极；逻辑“0”对应于高阻态，此时金属导电细丝在局部断开．它具有选材丰富、结构简单、易于集成、擦写速度快、擦写功耗低、循环耐