【摘 要】
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为了实现对碳化硅单晶（Si C）线锯切片亚表面微裂纹损伤深度快速计算与非破坏性分析,基于Si C单晶锯切加工脆性模式的材料去除机理,选择材料脆性开裂本构模型,建立了Si C单晶线
【机 构】
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山东大学机械工程学院,山东大学高效洁净机械制造教育部重点实验室
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为了实现对碳化硅单晶（Si C）线锯切片亚表面微裂纹损伤深度快速计算与非破坏性分析,基于Si C单晶锯切加工脆性模式的材料去除机理,选择材料脆性开裂本构模型,建立了Si C单晶线锯切片微裂纹损伤深度计算有限元模型。模型通过定义开裂状态量的输出,控制晶片表面单元失效与删除,将晶片上计算点区域内未失效单元节点到晶片表面最大距离提取为微裂纹损伤深度,实现了微裂纹损伤深度的仿真计算。研究了锯切过程的最大主应力与应力变化率的变化规律,仿真计算了切片微裂纹损伤深度。结果表明：锯切过程中距切点越近,最大主应力值与应力变
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