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对用粉末冶金(烧结)法制得的多晶VO<sub>2</sub>材料进行了X-射线结构分析和R-T曲线的实验研究.结果表明,纯的VO<sub>2</sub>多晶材料升温时在338K发生数量级约为10<sup>3</sup>倍的绝缘-金属转变,掺杂Cr的VO<sub>2</sub>样品转变温度向低温方向偏移。当样品中含有5%以上的V<sub>2</sub>O<sub>5</s