碳纳米管晶体管电路

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多功能碳纳米管已成为纳米技术的重要一员。如今,荷兰 Delft 技术大学的 Adrian Bachtold、PeterHadley、Takeshi Nakanishi 和 Cees Dekker 报告了采用单个半导体纳米管做场效应晶体管(FET)沟道制作的多栅电路(见 Science,2001年9月第294卷,1317~1320页)。当室温增益>10时,这些增强型 p 型 FET 结 Multifunctional carbon nanotubes have become an important part of nanotechnology. Today Adrian Bachtold, Peter Hadley, Takeshi Nakanishi, and Cees Dekker of the Delft Technical University in the Netherlands reported multi-gate circuits made with single semiconductor nanotube FETs (see Science, Vol. 294, September 2001, 1317 ~ 1320 pages). When the room temperature gain> 10, these enhanced p-type FET junction
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