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采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管（OLEDs）的缓冲层，使典型结构（ITO／TPD／Alq3／Al）的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明，当ZnS缓冲层厚度为5nm时，器件电流密度提高了近2倍，亮度提高了2倍；当ZnS缓冲层厚度为10nm时，器件发光的电流效率提高18％，器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用，促进器件载流子平衡，提高了器件发光效率，改善了器件性能。