【摘 要】
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本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性.HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释.ECV表明界面存在高密度载流子层.AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好I
【机 构】
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江南大学理学院,Department of Electrical Engineering,Department of Physics
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本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性.HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释.ECV表明界面存在高密度载流子层.AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层.并对于InP界面给出了一个基于费米能级钉扎的模型来解释观察到的电性质.
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