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用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性
用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cqyxp
【摘 要】
:
利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究,在光电流谱观察到λ=742nm主峰,同时也对多孔碳微腔的PL谱和单层多孔硅的光电流亦进行了测量,结合有效折射率方法和菲涅耳
【作 者】
:
熊卫华
【机 构】
:
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2001年9期
【关键词】
:
光电流谱
多孔硅微腔
PL谱
光电特性
photocurrent
porous silicon microcavities
PL spectrum
【基金项目】
:
上海市科委资助项目~~
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利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究,在光电流谱观察到λ=742nm主峰,同时也对多孔碳微腔的PL谱和单层多孔硅的光电流亦进行了测量,结合有效折射率方法和菲涅耳公式,对照PL谱和单层多孔硅的光电流亦,对常温下多孔硅微腔挑电流谱进行解释。
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