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据日本《日径产业新闻》1998年7月3日报道，日本科学技术厅金属材料技术研究所开发了直径仅为2nm的Si晶体制作技术。首先用电子束照射二氧化硅晶体薄膜，当薄膜变为非晶体后，进行600T高温加热，并用更强的电子束进行照射。电子束照射的部分，氧原子从薄膜分离，而残留的Si原子形成整齐排列的微细Si晶体。微小Si晶体可用于量子箱，故主要应用方向是新型半导体激光器和量子效应器件。今后的研究课题在于进一步研究该晶体的发光机理和物理特性。直径为2nm的Si晶体制作技术@申公