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为了改善其速度和电流驱动性能，设计了两例BiCMOS模拟电子开关电路。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管（BJT），而在电路的主体部分设置CMOS器件。优选了元器件参数，并采取提速和增大驱动电流的措施。通过仿真和硬件电路实验验证了开关电路性能，结果表明设计的BiCMOS开关电路在低电源电压2．6V≤VDD≤3．6V的范围内，综合性能指标——延迟．功耗积DP比CMOS开关电路平均降低了25．5pJ，输出级的驱动电流可达1．39mA以上，因而特别适用于低压、高速、大驱动电流的数字通信系统中。