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回顾了近年来在Ge／Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法，如图形衬底辅助生长、表面原予掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等，以及Ge量子点的演变及组分变化。
Ge／Si量子点生长的研究进展
【摘 要】
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回顾了近年来在Ge／Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法，如图形衬
【机 构】
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云南大学光电信息材料研究所
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2010年19期
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