扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wxj3177

【摘要】

：

采用原子层沉积技术（atomic layer deposition）在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下（500和700℃）进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光

【作者】

：

陈芳房丹王双鹏方铉唐吉龙赵海峰方芳楚学影李金

【机构】

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高功率半导体激光国家重点实验室,发光学及应用国家重点实验室,南昌大学

【出处】

：

光谱学与光谱分析

【发表日期】

：

2015年7期

【关键词】

：

扩散掺杂 P型ZNO P掺杂原子层沉积光致发光 Diffuse doped p-type ZnO Phosphorus-doped Atomic la

【基金项目】

：

国家自然科学基金项目（61076039,61204065,61205193,61307045,61404009,61474010）, 高等学校博士学科点专项科研基金项目（20112216120005）, 吉林省科技发展计划项目（20121816,201201116）, 高功率半导体激光国家重点实验室基金项目（9140C310104110C3101,9140C310102130C31107,9140

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采用原子层沉积技术（atomic layer deposition）在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下（500和700℃）进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱（photoluminescence,PL）来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰：3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合（A°X）、自由电子到受主的发射

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