论文部分内容阅读
具有红、绿、蓝彩色辐射源的三色半导体电致发光指示器可能成为平面彩色电视屏的一种元件。由于以碳化硅为基础，可以获得任意可见光谱区辐射的发光二极管，因此，SiC在制造这种半导体电致发光指示器方面是有前途的。
在一块单晶片上制成蓝绿红三色指示器
【摘 要】
：
具有红、绿、蓝彩色辐射源的三色半导体电致发光指示器可能成为平面彩色电视屏的一种元件。由于以碳化硅为基础，可以获得任意可见光谱区辐射的发光二极管，因此，SiC在制造这种半导体电致发光指示器方面是有前途的。
【出 处】
：
激光与光电子学进展
【发表日期】
：
1987年24期
其他文献
当光束在两种介质的分界面上发生全反射时,反射光会产生横向的古斯-汉欣(GH)位移。在Kretschmann结构中引入原子介质,利用耦合光激发表面等离子体波,研究了表面等离激元辅助的干涉效应作用下探测光的反射GH位移。通过对比耦合光分别为行波和表面等离子体波时探测光的反射率和反射GH位移,发现当探测光入射角偏离谐振角时,反射率曲线会出现类似Fano共振的不对称性,反射GH位移关于探测光失谐量有一段线性变化区域,且可以在正负之间变化;当耦合光为表面等离子体波时,反射GH位移对探测光失谐量的变化更敏感。
洛斯·阿拉莫斯国家实验室正在发展一种探测气体中原子和微粒的新技术，即激光感应击穿光谱学。在开始的实验中，研究者洛雷（T. Loree)等把一束Nd:YAG激光射向气体样品并分析所形成的火花光谱以探测微量杂质。例如，已经实时探测到空气中百万分之十二的氯；这个值相当于照明区中有0.3毫微克的元素。由于光谱分析是在激光脉冲过去几微秒后进行的，这时来自高度激发态的大量背景辐射已经消失，信噪比增大，所以氯的探测用时间分辨术。
期刊
比较相同偏置条件下镀减反射膜前后的半导体激光器端面自发辐射谱，测得了端面反射率随波长变化的关系曲线。该方法突破了Kaminow法单一波长测量的限制，同时也避免了Kaminow法在两端面镀膜后所遇到的调制度过小的问题。实验中确定出了低于8×10(-5)的第二镀膜端面反射率。
AlGaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors on sapphire substrate with a low-temperat
Unintentionally doped AlGaN thin films are grown on c-plane (0001) sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition, and low-temperature AlN is deposited onto sapphire substrate used as a buffer layer. AlGaN metal-semiconductor-metal ultravio
由激光器产生的光束可探测出进入压力弯折机两折刀之间的人手。而光束对弯折机的工作却毫无影响,就象置有栅栏时一样。目前，在压力弯折机上，最关心安全问题的企业家使用无形栅栏安全装置。该装置由光路组成，装在折刀前几十厘米处。存在的弊病是，这些装置阻碍了对将制成盒子的钢板进行垂直压折。原来在进行第二次压折时，第一次压折所翻起的边挡住了光束,随即停止了压力机的工作。
期刊
电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质, 采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明, 多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙, 可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大, 但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好, 可以减小CCD多晶