基片和溅射参数对CuInSe2量子点的影响

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liulang_6699

【摘要】

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用Cu、In、Se三元扇形复合靶,采用射频磁控反应溅射技术,在低温Indium Tin Oxude(ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形CuInSe2(CIS)量子点.制备材料的化学计量比可通过三

【作者】

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黄士勇曲风钦戴振宏苗晔钟玉荣王仲训

【机构】

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烟台大学光电信息学院

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2004年2期

【关键词】

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量子点半导体平均半径 quantum dot semiconductor average diameter

【基金项目】

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山东省奖励基金

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用Cu、In、Se三元扇形复合靶,采用射频磁控反应溅射技术,在低温Indium Tin Oxude(ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形CuInSe2(CIS)量子点.制备材料的化学计量比可通过三种单质的面积比率来调节.该制备方法具有成本低、操作简单、易于大型化等优点.平均量子点的大小可控制在40到80 nm之间,可通过改变溅射参数、ITO膜的晶相结构与表面形貌等因素来调节.

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