【摘 要】
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9月下旬,三星正式量产PRAM(phase change random access memory,相变随机存储器),采用60nm工艺,容量512Mbit,也就是64MByte,速度约是NOR型闪存的10倍。这个消息让我小小激动
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9月下旬,三星正式量产PRAM(phase change random access memory,相变随机存储器),采用60nm工艺,容量512Mbit,也就是64MByte,速度约是NOR型闪存的10倍。这个消息让我小小激动了一会儿。原以为2006、2007年就可以量产的东西,等到现在,有点儿久了。
In late September, Samsung officially launched PRAM (phase change random access memory, phase change random access memory, phase change random access memory, using 60nm process, the capacity of 512Mbit, which is 64MByte, about 10 times the speed of NOR-type flash memory. The news made me very excited for a moment. Originally thought 2006,2007 mass production of things, until now, a bit long time.
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