Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH4＋Ar

来源 :材料科学技术学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：FSACN

【摘要】

：

Polycrystalline silicon(poly-Si) films were deposited using Ar diluted SiH4 gaseous mixture by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor depos

【作者】

：

Hua Cheng Aimin Wu Jinquan Xia

【机构】

：

InstituteofMetalResearch,DalianUniversityofTechnology,ArmorTechniqueInstituteofPLA

【出处】

：

材料科学技术学报：英文版

【发表日期】

：

2009年4期

【关键词】

：

多晶硅薄膜衬底温度 SIH4 等离子体增强化学气相沉积沉积速率生长电子回旋共振氩 Poly-Si films ECR-PECVD Substrat

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Polycrystalline silicon(poly-Si) films were deposited using Ar diluted SiH4 gaseous mixture by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition(ECR-PECVD).The effects of the substrate temperature on deposition rate,crystallinity,grai

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