【摘 要】
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等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用，就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅，多晶硅的原理和如何控制形状（profile）和深沟道的深度做了研究，解释了H
【机 构】
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湖北民族学院信息工程学院,湖北民族学院理学院
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等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用，就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅，多晶硅的原理和如何控制形状（profile）和深沟道的深度做了研究，解释了HBr，NF3，He_30％O2气体，压力对蚀刻速率，Si／SiO2蚀刻选择比的影响．结果表明：蚀刻率随HBr流量的增大而增大，压力和侧壁保护气体He_30％O2控制着整个蚀刻图形．
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