【摘 要】
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在广义梯度近似下,采用密度泛函理论框架下的第一性原理投影缀加波赝势方法,研究了扶手椅型氮化硼（BN）纳米带（锯齿边缘）双空位缺陷效应.结果表明：垂直双空位结构优化后形成一个14
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在广义梯度近似下,采用密度泛函理论框架下的第一性原理投影缀加波赝势方法,研究了扶手椅型氮化硼（BN）纳米带（锯齿边缘）双空位缺陷效应.结果表明：垂直双空位结构优化后形成一个14环,斜向双空位在奇数宽度纳米带中形成4—10—4环,而在偶数宽度纳米带中形成5—8—5环.这两种双空位的形成过程是吸热的,垂直双空位的形成能比斜向双空位的形成能高.随着BN纳米带宽度的增加,两种双空位的形成能均有减少.双空位的存在虽不改变BN纳米带的半导体特性,但改变了费米能级附近的能带结构.
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