C/C多孔体中TaC晶须的制备及生长机理

来源 :粉末冶金材料科学与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaoxuan415315
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采用真空加压浸渍法,在C/C多孔体中浸渍TaF5溶液制备TaC晶须。通过扫描电镜(SEM)观察TaC形貌,发现晶须呈单根或束状,且晶须光滑、平直,直径小于1μm。晶须头部的球状液滴表明其生长机理为气-液-固(V-L-S)机制,但反应过程中的球状液滴不是由催化剂与反应体系形成的共融球,而是生成TaC晶须的反应组元Ta2O5液滴,由TaF5高温水解生成。热解炭原子在单个或团簇的Ta2O5液滴中扩散生长出单根或束状的TaC晶须。
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