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通过流延浸渍法制备Cu—CeO2—YSZ阳极，采用淀粉做造孔剂，确定了多孔YSZ基体的制备工艺，主要包括造孔剂用量及流延浆料配比。并通过复合流延制备多孔YSZ支撑的多孔-YSZ／致密-YSZ复合基体，以Pt浆为阴极，通过电池放电考察了氢气条件下多孔YSZ孔隙率、Ce和Cu的浸渍条件等对Cu—CeO2—YSZ阳极性能影响。结果表明，原料中淀粉含量为65％（质量分数），1500℃烧结6h得到多孔YSZ孔隙率可达到70％左右。采用真空顺次浸渍法制备20％Cu-10％CeO2-YSZ（质量分数）阳极，其电池800