【摘 要】
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对B-Si3N4基体表面DLC薄膜压痕过程进行分子动力学模拟。压入过程模拟采用刚性球形压头与Tersoff势函数，考虑薄膜密度、膜厚、压入深度和基体属性对压痕过程的影响。模拟结果
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对B-Si3N4基体表面DLC薄膜压痕过程进行分子动力学模拟。压入过程模拟采用刚性球形压头与Tersoff势函数，考虑薄膜密度、膜厚、压入深度和基体属性对压痕过程的影响。模拟结果显示：薄膜抗压变形能力随着薄膜密度增加而变强，随着薄膜厚度增加而变弱；随压入深度增加，接触区内原子平均势能增加并转化为动能，导致温度升高，DLC膜中sp^3键比例和配位数为5原子数增加，薄膜硬度增加。β-Si3N4基体属性对薄膜压痕特性产生影响，高硬度基体表面DLC膜的抗压变形能力更强，但随薄膜厚度增加其影响逐渐减弱。
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