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<正>南京电子器件研究所开发了0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,击穿电压大于4 V。基于该工艺,研制出220 GHz单片集成功率放大器,饱和输出功率20 mW,功率增益大于10 dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试结果。
220 GHz InP DHBT单片集成功率放大器
【摘 要】
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<正>南京电子器件研究所开发了0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,击穿电压大于4 V。基于该工艺,研制出220 GHz单片集成功率放大器,饱和输出功率20 mW,功率增
【机 构】
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微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所;
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2004年期
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