【摘 要】
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分析了GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）非线性输出电容寄生参数Cout与功率放大器效率的关系.通过建立非线性电路模型分析得出,Cour与外部合适的匹配电路结合能产生类似电压
【机 构】
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合肥工业大学特种显示技术教育部重点实验室,合肥工业大学仪器科学与光电工程学院,合肥工业大学光电技术研究院
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分析了GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）非线性输出电容寄生参数Cout与功率放大器效率的关系.通过建立非线性电路模型分析得出,Cour与外部合适的匹配电路结合能产生类似电压半正弦波,电流方波的最优效率波形.选用GaN HEMT器件设计S频段射频功率放大器,实测结果显示该放大器最高漏极效率（DE）为81.7％,功率附加效率（PAE）78.56％,功率为41.16 dBm,在100 M带宽内PAE也可达74.49％以上,并且结构简单.实测结果验证了原理分析的可靠性.
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