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ZnO纳米材料是一种新型的直接带隙半导体材料，其禁带宽度为3．37eV。Sb掺杂ZnO纳米材料在光电、气敏效应、P型导电等方面具有优良的性质。介绍Sb掺杂ZnO纳米材料在这几方面的最新研究进展。
Sb掺杂ZnO纳米材料的研究进展
【摘 要】
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ZnO纳米材料是一种新型的直接带隙半导体材料，其禁带宽度为3．37eV。Sb掺杂ZnO纳米材料在光电、气敏效应、P型导电等方面具有优良的性质。介绍Sb掺杂ZnO纳米材料在这几方面的最
【机 构】
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重庆师范大学
【出 处】
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重庆科技学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2009年4期
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