【摘 要】
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1.难熔金属硅化物的特性集成电路发展过程中,随着集成度的不断提高,布线宽度越来越窄,以致连线电阻的增加影响了电路延迟时间。超大规模集成电路(VLSI)使用的MOS工艺的多晶
【机 构】
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上海钢铁研究所rrrrrrrrn,上海钢铁研究所
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1.难熔金属硅化物的特性集成电路发展过程中,随着集成度的不断提高,布线宽度越来越窄,以致连线电阻的增加影响了电路延迟时间。超大规模集成电路(VLSI)使用的MOS工艺的多晶硅栅也因电阻率过高而影响了电路的速度。集成
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