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为了降低第二代高温超导涂层导体的制备成本，采用电化学法（ED），在双轴织构的Ni-5at％W（Ni-5W）金属基带上分别成功制备出了具有较好c轴取向的La2Zr2O7（LZO）和Gd2Zr2O7（GZO）缓冲层．通过与磁控溅射方法（MS）相结合，制备出MS-CeO2／ED-RE：Zr20，双层结构，用以取代完全用磁控溅射方法（Ms）制备的多层缓冲层结构．电化学法得到的60nmLZO缓冲层的面内和面外织构半高宽分别为7．2°和6．8°，同样厚度的GZO缓冲层的面内和面外半高宽分别为6．7