【摘 要】
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制备了AlF3-MgF2-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷材料，用XRD、SEM和阻抗分析仪等分析其烧结特性、显微结构、介电性能以及与Ag电极浆料共烧等性能。结果表明：该材料可以在900℃烧
【机 构】
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清华大学新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(No.50425204No.50621201No.10774087)
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制备了AlF3-MgF2-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷材料，用XRD、SEM和阻抗分析仪等分析其烧结特性、显微结构、介电性能以及与Ag电极浆料共烧等性能。结果表明：该材料可以在900℃烧结致密化，烧成后的样品具有低的介电常数（6．2）和介质损耗（〈0．002）、较低的热膨胀系数（7．4×10^4／K）、较高的弯曲强度（220MPa）和热导率[2．4W／（m·K）]，能够与Ag电极浆料共烧，是一种很有应用前景的低温共烧陶瓷基板和无源集成介质材料。
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