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ICP dry etching ITO to improve the performance of GaN-based LEDs

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：adamadama

【作 者】

：

孟丽丽  陈依新  马莉  刘自可  沈光地 

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2011年01期

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