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用传输矩阵法计算光在掺杂金属缺陷的线性函数光子晶体中的电场分布,考察缺陷层位置、层数以及光子晶体半周期数对电场分布的影响,并与不含缺陷的结构进行比较.结果表明,有缺陷光子晶体的电场分布强度明显增强.
含复折射率缺陷的一维线性函数光子晶体的电场特性
【摘 要】
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用传输矩阵法计算光在掺杂金属缺陷的线性函数光子晶体中的电场分布,考察缺陷层位置、层数以及光子晶体半周期数对电场分布的影响,并与不含缺陷的结构进行比较.结果表明,有缺
【机 构】
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吉林师范大学物理学院
【出 处】
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吉林大学学报(理学版)
【发表日期】
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2014年4期
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