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期刊论文
MZOS结构的电学性质及退火效应
MZOS结构的电学性质及退火效应
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:busyouweb
【摘 要】
:
本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应,并进行了X线衍射分析和电子能谱分析。发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低Si表面有效电荷密度显著效果。
【作 者】
:
亢效虎
何山虎
【机 构】
:
兰州医学院物理教研室,兰州大学物理系
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1997年12期
【关键词】
:
MZOS结构
氧化锌
半导体薄膜技术
Annealing
Electric properties
Semiconducting films
Semiconduc
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本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应,并进行了X线衍射分析和电子能谱分析。发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低Si表面有效电荷密度显著效果。
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